SK Hynix anuncia seus produtos de memória HBM2E, 460 GB / se 16 GB por pilha



SK Hynix Inc. announced today that it has developed HBM2E DRAM product with the industry's highest bandwidth. The new HBM2E boasts approximately 50% higher bandwidth and 100% additional capacity compared to the previous HBM2. SK Hynix's HBM2E supports over 460 GB (Gigabyte) per second bandwidth based on the 3.6 Gbps (gigabits-per-second) speed performance per pin with 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Through utilization of the TSV (Through Silicon Via) technology, a maximum of eight 16-gigabit chips are vertically stacked, forming a single, dense package of 16 GB data capacity.

O HBM2E da SK Hynix é uma solução ideal de memória para a quarta era industrial, suportando sistemas de GPU, supercomputadores, aprendizado de máquina e inteligência artificial de ponta, que exigem o nível máximo de desempenho da memória. Diferentemente dos produtos DRAM de commodities que assumem formas de pacote de módulos e montados em placas de sistema, o chip HBM é interconectado estreitamente a processadores como GPUs e chips lógicos, distanciando apenas algumas unidades de µm, o que permite uma transferência de dados ainda mais rápida.

'SK Hynix has established its technological leadership since its world's first HBM release in 2013,' said Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy. 'SK Hynix will begin mass production in 2020, when the HBM2E market is expected to open up, and continue to strengthen its leadership in the premium DRAM market.'