Micron grava memória flash NAND 3D de 128 camadas



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

A Micron comenta que este NAND 3D de 128 camadas e 4ª geração será um paliativo restrito a alguns aplicativos selecionados e pode não ver o tipo de adoção como seus atuais chips de 96 camadas. A empresa parece estar mais focada em sua evolução, possivelmente a NAND 3D de 5ª geração, que deverá trazer ganhos tangíveis de custo por bit para a empresa, à medida que passa para um nó de fabricação de silício mais novo e implementa tecnologias ainda mais novas. RG. 'Conseguimos nossas primeiras matrizes produtivas usando o portão de substituição ou' RG '' para abreviar. Esse marco reduz ainda mais o risco de nossa transição de RG. Como lembrete, nosso primeiro nó RG terá 128 camadas e será usado para um conjunto selecionado de produtos. Não esperamos que a RG ofereça reduções de custo significativas até o EF2021, quando nosso nó RG de segunda geração for amplamente implantado. Consequentemente, esperamos reduções mínimas de custo na NAND no EF2020. Nossa abordagem de implantação de produção de RG otimizará o ROI de nossos investimentos de capital NAND '', disse Sanjay Mehrotra, CEO e presidente da Micron.
Source: AnandTech